FM6BD1G1GMB-1.8BLCE 1G+1G (NAND फ़्लैश + LPDDR2) FM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB (2G) FM6BD1G1GMB (2G)
निर्माता:
ईएसएमटी ((एलीट सेमीकंडक्टर माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स टेक्नोलॉजी इंक.)
विवरण:
FM6BD1G1GMB 1.8V 1Gb NAND फ़्लैश (128Mbx8) 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (32Mbx32) 45ns 400/533MHz 10.5x8 (म
वर्ग:
माइक्रोकंट्रोलर आईसी
स्टॉक में:
स्टॉक में
कीमत:
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भुगतान विधि:
टी/टी
शिपिंग का तरीका:
अभिव्यक्त करना
विशेष विवरण
प्रोडक्ट का नाम:
FM6BD1G1GMB-1.8BLCE 1G+1G (NAND फ़्लैश + LPDDR2) FM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB (2G) FM6BD1G1GMB (2G)
विवरण:
FM6BD1G1GMB 1.8V 1Gb NAND फ़्लैश (128Mbx8) 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (32Mbx32) 45ns 400/533MHz
वर्ग:
इंटीग्रेटेड सर्किट (ICs)-FM6BD1G1GMB
पैकेज/केस:
10.5x8 (मिमी) 162बीजीए
परिचालन तापमान:
-40°C ~ 85°C (टीए)
माउन्टिंग का प्रकार:
सतही माउंट
एमएफआर:
ईएसएमटी
आधार उत्पाद संख्या:
एफएम6बीडी1जी1जीएमबी
भाग संख्या:
FM6BD1G1GMB-1.8BLCEFM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB (2G) FM6BD1G1GMB (2G)
परिचय
FM6BD1G1GMB-1.8BLCE 1G+1G (NAND फ्लैश + LPDDR2) FM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB (2G) FM6BD1G1GMB (2G)
विवरण:FM6BD1G1GMB 1.8V 1Gb NAND फ्लैश (128Mbx8) 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (32Mbx32) 45ns 400/533MHz 10.5x8 (मिमी) 162BGA
FM6BD1G1GMB-1.8BLCE
अधिक एमसीपी फ्लैश मेमोरी आईसी भाग संख्याः
| 1जी+1जी (एनएंड फ्लैश + एलपीडीडीआर2) | |||
| भाग_ संख्या | विवरण | गति ((MHZ) | पैकेज |
| FM6BD1G1GMB(2M) | 1.8V 1Gb NAND फ्लैश (128Mbx8) + 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (32Mbx32) | 45 एनएस, 400/533 मेगाहर्ट्ज | 10.5x8 (मिमी), 162 गेंद |
| FM62D1G1GMB (2G) | 1.8V 1Gb NAND फ्लैश (128Mbx8) + 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx16) | 45 एनएस, 400/533 मेगाहर्ट्ज | 10.5x8 (मिमी), 162 गेंद |
| FM6BD1G1GMB (2G) | 1.8V 1Gb NAND फ्लैश (128Mbx8) + 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (32Mbx32) | 45 एनएस, 400/533 मेगाहर्ट्ज | 10.5x8 (मिमी), 162 गेंद |
| 2जी+1जी (एनएंड फ्लैश + एलपीडीडीआर2) | |||
| भाग_ संख्या | विवरण | गति ((MHZ) | पैकेज |
| FM62D2G1GXA (2U) | 1.8V 2Gb NAND फ्लैश (256Mbx8) + 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx16) | 30ns, 400/533MHz | 10.5x8 (मिमी), 162 गेंद |
| 2जी+2जी (एनएंड फ्लैश + एलपीडीडीआर2) | |||
| भाग_ संख्या | विवरण | गति ((MHZ) | पैकेज |
| FM6BD2G2GXA(2M) | 1.8V 2Gb NAND फ्लैश (256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 30ns; 400/533MHz | 10.5x8 (मिमी), 162 गेंद |
| FM6BD2G2GXA(2L) | 1.8V 2Gb NAND फ्लैश (256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 30ns; 533MHz | 10.5x8 (मिमी), 162 गेंद |
| FM62D2G2GXA (2L) | 1.8V 2Gb NAND फ्लैश (256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx16) | 30ns; 533MHz | 10.5x8 (मिमी), 162 गेंद |
| FM62D2G2GKA (2Q) | 1.8V 2Gb NAND फ्लैश (256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx16) | 45ns; 533MHz | 10.5x8 (मिमी), 162 गेंद |
| FM6BD2G2GKA (2Q) | 1.8V 2Gb NAND फ्लैश (256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 45ns; 533MHz | 10.5x8 (मिमी), 162 गेंद |
| 2जी+2जी (एनएंड फ्लैश + एलपीडीडीआर4एक्स) | |||
| भाग_ संख्या | विवरण | गति ((MHZ) | पैकेज |
| FM6HZ2G2GXA (2A) | 1.8V 2Gb NAND फ्लैश (256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR4x SDRAM (128Mbx16) | 30ns; 1866MHz | 9.5x8 (मिमी), 149बॉल |
| 4G+2G (NAND फ्लैश + LPDDR2) | |||
| भाग_ संख्या | विवरण | गति ((MHZ) | पैकेज |
| FM6BD4G2GXB(2V) | 1.8V 4Gb NAND फ्लैश (512Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 30ns; 533MHz | 10.5x8 (मिमी), 162 गेंद |
| FM6BD4G2GXB(2X) | 1.8V 4Gb NAND फ्लैश (512Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 30ns; 533/400MHz | 10.5x8 (मिमी), 162 गेंद |
| FM62D4G2GXB (2V) | 1.8V 4Gb NAND फ्लैश (512Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx16) | 30ns; 533MHz | 10.5x8 (मिमी), 162 गेंद |
| FM6BD4G2GKA (2J) | 1.8V 4Gb NAND फ्लैश (512Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 45ns; 533MHz | 10.5x8 (मिमी), 162 गेंद |
| 4जी+2जी (एनएंड फ्लैश + एलपीडीडीआर4एक्स) | |||
| भाग_ संख्या | विवरण | गति ((MHZ) | पैकेज |
| FM6HZ4G2GXB | 1.8V 4Gb NAND फ्लैश (512Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR4x SDRAM (128Mbx16) | 30ns; 1866MHz | 9.5x8 (मिमी), 149बॉल |
| 4जी+4जी (एनएंड फ्लैश +एलपीडीडीआर2) | |||
| भाग_ संख्या | विवरण | गति ((MHZ) | पैकेज |
| FM6BD4G4GXB(2X) | 1.8V 4Gb NAND फ्लैश (512Mbx8) + 1.8V 4Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx32) | 30ns; 400/ 533MHz | 10.5x8 (मिमी), 162 गेंद |
| FM6BD4G4GXMB (2V) | 1.8V 4Gb NAND फ्लैश (512Mbx8) + 1.8V 4Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx32) | 30ns; 533MHz | 10.5x8 (मिमी), 162 गेंद |
| FM6BD4G4GKMA (2J) | 1.8V 4Gb NAND फ्लैश (512Mbx8) + 1.8V 4Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx32) | 45ns; 533MHz | 10.5x8 (मिमी), 162 गेंद |
| 4जी+4जी (एनएंड फ्लैश + एलपीडीडीआर4एक्स) | |||
| भाग_ संख्या | विवरण | गति ((MHZ) | पैकेज |
| FM6HZ4G4GXB | 1.8V 4Gb NAND फ्लैश (512Mbx8) + 1.8V 4Gb LPDDR4x SDRAM (256Mbx16) | 30ns; 1866/2133MHz | 9.5x8 (मिमी), 149बॉल |
| 8जी+8जी (एनएंड फ्लैश + एलपीडीडीआर4एक्स) | |||
| भाग_ संख्या | विवरण | गति ((MHZ) | पैकेज |
| FM6HZ8G8GXDZB(2H) | 1.8V 4Gb x2die NAND फ्लैश (512Mbx8) + 1.8V 4Gb x2die LPDDR4x SDRAM (256Mbx16) | 30ns; 1866/ 2133MHz | 9.5x8 (मिमी), 149बॉल |
| 16जी+16जी (एनएंड फ्लैश + एलपीडीडीआर4एक्स) | |||
| भाग_ संख्या | विवरण | गति ((MHZ) | पैकेज |
| FM6HZ16G16GXA (2D) | 1.8V 8Gb x2die NAND फ्लैश (1024Mbx8) + 1.8V 16Gb x1die LPDDR4x SDRAM (1Gbx16) | 30ns; 2133MHz | |
आवेदनः
मोटर वाहन
नेटवर्किंग
उपभोक्ता
सेट टॉप बॉक्स
औद्योगिक
प्रदर्शन
आईओटी
सुरक्षा निगरानी
पहनने योग्य उपकरण
पीसी परिधीय
एलीट सेमीकंडक्टर माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स टेक्नोलॉजी इंक (ईएसएमटी) एक पेशेवर आईसी डिजाइन कंपनी है, जिसकी स्थापना जून 1998 में ताइवान के सिनचु साइंस इंडस्ट्रियल पार्क में हुई थी।कंपनी के मुख्य व्यवसाय में स्वयं के ब्रांड आईसी उत्पाद डिजाइन शामिल हैंईएसएमटी मार्च 2002 में ताइवान स्टॉक एक्सचेंज, कोड 3006 पर सफलतापूर्वक सार्वजनिक हुआ।
ESMT SPI NAND फ्लैश उत्पाद स्टॉक में अधिकः
| SPI NAND | |||
| 1 जीबी | |||
| भाग संख्या | विवरण | गति ((mhz) | पैकेज |
| F50L1G41LB ((2M) | SPI NAND फ्लैश, 3.3V | 104MHz | 8-संपर्क WSON |
| F50D1G41LB ((2M) | एसपीआई एनएंड फ्लैश, 1.8V | 50MHz | 8-संपर्क WSON |
| F50L1G41XA(2B) | SPI NAND फ्लैश, 3.3V | 104MHz | 8-संपर्क WSON/ 24 बॉल BGA |
| 2जीबी | |||
| भाग संख्या | विवरण | गति ((mhz) | पैकेज |
| F50L2G41XA(2B) | SPI NAND फ्लैश, 3.3V | 104MHz | 8-संपर्क WSON |
| F50L2G41XA (2BE) | SPI NAND फ्लैश, 3.3V | 104MHz | 8-संपर्क एलजीए |
| F50D2G41XA(2BE) | एसपीआई एनएंड फ्लैश, 1.8V | 83MHz | 8-संपर्क एलजीए |
| F50D2G41XA(2B) | एसपीआई एनएंड फ्लैश, 1.8V | 83/ 104 मेगाहर्ट्ज | 8-संपर्क WSON |
| 4जीबी | |||
| भाग संख्या | विवरण | गति ((mhz) | पैकेज |
| F50D4G41XB(2X) | SPI NAND फ्लैश 1.8V | 83MHz | 8-संपर्क एलजीए |
| F50L4G41XB(2X) | SPI NAND फ्लैश, 3.3V | 104MHz | 8-संपर्क WSON |
| F50D4G41XB ((2XE) | SPI NAND फ्लैश 1.8V | 83MHz | 8-संपर्क एलजीए |
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