Infineon HEXFET Power MOSFET N चैनल 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF
Infineon HEXFET पावर MOSFET
,MOSFET N चैनल 55V 30A
,55V 30A HEXFET पावर MOSFET
IRLR3915TRPBF Infineon Technologies/International Rerectifier IOR HEXFET MOSFET N-Channel 55V 30A DPAK असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद
एन-चैनल 55 वी 30 ए (टीसी) 120W (टीसी) भूतल माउंट डी-पाक
विवरण
यह HEXFET® पावर MOSFET प्रति सिलिकॉन क्षेत्र में अत्यंत कम प्रतिरोध प्राप्त करने के लिए नवीनतम प्रसंस्करण तकनीकों का उपयोग करता है।
इस उत्पाद की अतिरिक्त विशेषताएं 175 डिग्री सेल्सियस जंक्शन ऑपरेटिंग तापमान, तेज स्विचिंग गति और बेहतर दोहराव वाले हिमस्खलन रेटिंग हैं।ये विशेषताएं इस डिज़ाइन को विभिन्न प्रकार के अनुप्रयोगों में उपयोग के लिए एक अत्यंत कुशल और विश्वसनीय उपकरण बनाने के लिए जोड़ती हैं।
विशेषताएं :
उन्नत प्रक्रिया प्रौद्योगिकी अल्ट्रा लो ऑन-रेसिस्टेंस 175 डिग्री सेल्सियस ऑपरेटिंग तापमान तेजी से स्विचिंग दोहरावदार हिमस्खलन Tjmax D-Pak IRLR3915PbF I-Pak IRLU3915PbF ली तक की अनुमति है
उत्पाद तकनीकी विनिर्देश
भाग संख्या | IRLR3915TRPBF |
आधार भाग संख्या | आईआरएलआर3915 |
यूरोपीय संघ RoHS | छूट के साथ अनुपालन |
ईसीसीएन (अमेरिका) | EAR99 |
भाग की स्थिति | सक्रिय |
एचटीएस | 8541.29.00.95 |
वर्ग
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असतत अर्धचालक उत्पाद
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ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - सिंगल
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एमएफआर
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इन्फिनियन टेक्नोलॉजीज
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श्रृंखला
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हेक्सफेट®
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पैकेज
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टेप और रील (टीआर)
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भाग की स्थिति
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सक्रिय
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एफईटी प्रकार
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n- चैनल
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प्रौद्योगिकी
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MOSFET (धातु ऑक्साइड)
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ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss)
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55 वी
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करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C
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30ए (टीसी)
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ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू)
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5वी, 10वी
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आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
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14mOhm @ 30A, 10V
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वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी
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3वी @ 250µए
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गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
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92 एनसी @ 10 वी
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वीजीएस (अधिकतम)
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±16वी
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इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds
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1870 पीएफ @ 25 वी
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एफईटी फ़ीचर
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-
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बिजली अपव्यय (अधिकतम)
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120W (टीसी)
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परिचालन तापमान
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-55 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
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माउन्टिंग का प्रकार
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माउंट सतह
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आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
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डी-पाकी
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पैकेज / केस
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TO-252-3, DPak (2 लीड्स + टैब), SC-63
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आधार उत्पाद संख्या
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आईआरएलआर3915
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